I) Um diodo de corpo pode ser utilizando para proteger o MOSFET quando este é aplicado em circuitos eletrônicos com características indutivas.
II) A quantidade de potência durante o estado ligado (condução) não depende da frequência de chaveamento do circuito, sendo essa apenas relevante no cálculo da potência durante o chaveamento.
III) Se desconsiderarmos apenas a resistência de corpo (intrínseca) de um SCR podemos afirmar que a potência dissipada (perda) durante o estado ligado (PON) será nula. Desta forma podemos considerar a eficiência de 100% na conversão de potência.
IV) O dispositivo IGBT, assim como o MOSFET possuem características similares e quando operando na região ativa, possuem ganhos entre a corrente de Dreno/Coletor e a corrente de gate. Porém, em eletrônica de potência, utilizamos estes dois componentes essencialmente nas regiões de saturação e corte, apenas.
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