Os dispositivos semicondutores de potência desempenham um papel fundamental no controle e conversão eficiente da energia elétrica. Esses dispositivos, como os diodos, tiristores, transistores de potência, permitem

I. O diodo de potência é um dispositivo semicondutor utilizado para bloquear a corrente em um sentido e permitir a passagem de corrente em um sentido oposto.
II. O GTO (Gate Turn-Off Thyristor) é um dispositivo semicondutor bipolar que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos, sendo utilizado principalmente em aplicações de alta frequência.
III. O MOSFET é um dispositivo semicondutor de potência unidirecional que possui a capacidade de controlar a quantidade de corrente que o percorre a partir de uma corrente proporcional injetada no terminal de gate.
IV. O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta capacidade de bloqueio de tensão do MOSFET com a baixa resistência de condução do transistor bipolar.
V. O SCR (Silicon-Controlled Rectifier) pode ser compreendido como uma chave controlada, pois mesmo possuindo características similares ao do Diodo retificador, é possível comandar o instante em que o dispositivo começa a conduzir corrente, assim como o bloqueio desta corrente, enviando um sinal nulo de corrente no terminal de gate.